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| N.º art.: 6368-4173080 N.º fabricante: TK35N65W,S1F(S EAN/GTIN: Sin datos |
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![](/p.gif) | Corriente de Drenaje Continua Id 35 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor TO-247 Tensión Drenador-Fuente (Vds) 650 V Disipación de Potencia 270 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 3.5 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) To Be Advised Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.068 ohm Gama de Producto - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Orificio Pasante Tipo de Canal Canal N Más información: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Customs tariff number: | 85412900 |
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![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, mosfet 10v, transistor de potencia, Discretos, MOSFETs, Semiconductores, Simple, Transistors, TOSHIBA, TK35N65W,S1F(S, 4173080, 417-3080 |
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