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| N.º art.: 6368-4180273 N.º fabricante: QH8KA1TCR EAN/GTIN: Sin datos |
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![](/p.gif) | Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N 30 V Corriente de Drenaje Continua Id Canal P - Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pines Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal P - Corriente de Drenaje Continua Id Canal N 4.5 A Tipo de Canal Canal N Doble Disipación de Potencia Canal N 2.4 W Disipación de Potencia Canal P - Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor TSMT Calificación - Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) To Be Advised Más información: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Customs tariff number: | 85412900 |
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![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia, Discretos, Double, MOSFETs, Semiconductores, Transistors, ROHM, QH8KA1TCR, 4180273, 418-0273 |
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