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| N.º art.: 6368-4198482 N.º fabricante: GAN190-650FBEZ EAN/GTIN: Sin datos |
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![](/p.gif) | Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.138 ohm Carga de Puerta Típica 2.8 nC Gama de Producto - Encapsulado del Transistor DFN5060 Corriente de Drenaje Continua Id 11.5 A Tensión Drenador-Fuente (Vds) 650 V Número de Pines 8 Pines Calificación - Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (15-Jan-2018) Montaje de Transistor Montaje Superficial Más información: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Customs tariff number: | 85412900 |
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![](/p.gif) | Otros conceptos de búsqueda: (GaN), Discretos, FETs, gallium, Nitrure, Nitruro, Semiconductores, NEXPERIA, GAN190-650FBEZ, 4198482, 419-8482 |
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