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| N.º art.: 6368-4218058 N.º fabricante: G2R50MT33K EAN/GTIN: Sin datos |
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![](/p.gif) | Tensión Drenador-Fuente (Vds) 3.3 kV Disipación de Potencia 536 W Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 3.5 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (17-Jan-2023) Tensión de Prueba Rds(on) 20 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.05 ohm Gama de Producto G2R Series Número de Pines 4 Pines Configuración de Módulo MOSFET Simple Tipo de Canal Canal N Encapsulado del Transistor TO-247 Corriente de Drenaje Continua Id 63 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 175 °C Más información: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Customs tariff number: | 85412900 |
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![](/p.gif) | Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia, (SiC), Carbide, Discretos, Módulos, MOSFETs, Semiconductores, Silicon, Transistors, GENESIC SEMICONDUCTOR, G2R50MT33K, 4218058, 421-8058 |
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