N.º art.: 6368-9102396
N.º fabricante: IRFD020PBF
EAN/GTIN: Sin datos
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.1 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) - Número de Pines 4 Pines Montaje de Transistor Orificio Pasante Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 2.4 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor DIP Tensión Drenador-Fuente (Vds) 50 V Disipación de Potencia 1 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 4 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (10-Jun-2022)
Más información:
Customs tariff number:
85412100
Otros conceptos de búsqueda: Transistor MOSFET ,
Transistores MOSFET ,
Transistores ,
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mosfet de potencia ,
Discretos ,
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Semiconductores ,
Simple ,
Transistors ,
VISHAY ,
IRFD020PBF ,
9102396 ,
910-2396
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