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DIODES INC. ZXM62P03E6 MOSFET, P, SOT-23-6


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Información de productos
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N.º art.:
     6368-9525327
Fabricante:
     Diodes
N.º fabricante:
     ZXM62P03E6
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.11 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 6 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal P Corriente de Drenaje Continua Id 2.6 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor SOT-23 Tensión Drenador-Fuente (Vds) 30 V Disipación de Potencia 806 mW Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 1 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)
Más información:
Customs tariff number:
85412100
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia, Discretos, MOSFETs, Semiconductores, Simple, Transistors, DIODES INC., ZXM62P03E6, 9525327, 952-5327
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