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DIODES INC. ZXMN10A11G MOSFET, N, SOT-223


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N.º art.:
     6368-9525726
Fabricante:
     Diodes
N.º fabricante:
     ZXMN10A11G
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.6 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 1.8 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor SOT-223 Tensión Drenador-Fuente (Vds) 100 V Disipación de Potencia 3.9 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 4 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) Lead (23-Jan-2024)
Más información:
Customs tariff number:
85412100
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, mosfet 10v, transistor de potencia, Discretos, MOSFETs, Semiconductores, Simple, Transistors, DIODES INC., ZXMN10A11G, 9525726, 952-5726
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