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ONSEMI FDN359AN N CH MOSFET, 30V, 2.7A, SUPER SOT


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Información de productos
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N.º art.:
     6368-9845372
Fabricante:
     onsemi
N.º fabricante:
     FDN359AN
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.046 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 2.7 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor SOT-23 Tensión Drenador-Fuente (Vds) 30 V Disipación de Potencia 500 mW Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 1.6 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)
Más información:
Customs tariff number:
85412900
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia, Discretos, MOSFETs, Semiconductores, Simple, Transistors, ONSEMI, FDN359AN, 9845372, 984-5372
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