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Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0,12A; Idm: 0,76A


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Información de productos
Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0,12A; Idm: 0,76A
Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0,12A; Idm: 0,76A
N.º art.:
     6Q9VB-2N7002NXAKR
Fabricante:
     Nexperia
N.º fabricante:
     2N7002NXAKR
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
Fabricante: NEXPERIA
Montaje: SMD
Carcasa: SOT23;TO236AB
Tensión drenaje-fuente: 60V
Corriente del drenaje: 0,12A
Resistencia en estado de transferencia: 9,2Ω
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 0,265W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: cinta;bobina
Propiedades de elementos semiconductores: ESD protected gate
Carga de puerta: 0,43nC
Tecnología: Trench
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±20V
Corriente del drenaje en impulso: 0,76A
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