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Module: gate driver board; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge


Cantidad:  unidad  
Información de productos

N.º art.:
     6Q9VB-2SC0435T2F1-17
Fabricante:
     Power Integrations
N.º fabricante:
     2SC0435T2F1-17
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Módulo IGBT
Módulos IGBT
MOSFET
Transistor MOSFET
Fabricante: POWER INTEGRATIONS
Montaje: regleta pin
Temperatura de trabajo: -40...85°C
Tensión de alimentación: 14,5...15,5V DC
Frecuencia: 0,1MHz
Corriente de salida: 35A
Clase de salida: control IGBT
Propiedades de circuitos integrados: separación galvánica;convertidor DC/DC integrado
Tipo de módulo: gate driver board
Tecnología: SCALE™-2+
Topología: medio puente IGBT;medio puente MOSFET
Clase de voltaje: 1,7kV
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, Transistores, Transistor, módulo igbt
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