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Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1kV; 11A; Idm: 44A


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Información de productos
Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1kV; 11A; Idm: 44A
Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1kV; 11A; Idm: 44A
N.º art.:
     6Q9VB-APT1001RBVFRG
Fabricante:
     Microchip Technology
N.º fabricante:
     APT1001RBVFRG
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
Transistores
Fabricante: MICROCHIP TECHNOLOGY
Montaje: THT
Carcasa: TO247-3
Tensión drenaje-fuente: 1kV
Corriente del drenaje: 11A
Resistencia en estado de transferencia: 1Ω
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 278W
Polarización: unipolar
Precio unitario: No
Carga de puerta: 150nC
#Acciones #promocionales: aac_202202
Tecnología: POWER MOS 5®
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±30V
Corriente del drenaje en impulso: 44A
Otros conceptos de búsqueda: Transistor
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