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Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1kV; 21A; Idm: 84A


Cantidad:  unidad  
Información de productos

N.º art.:
     6Q9VB-APT10050B2VFRG
Fabricante:
     MICROCHIP (MICROSEMI)
N.º fabricante:
     APT10050B2VFRG
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
Transistores
Fabricante: MICROCHIP (MICROSEMI)
Montaje: THT
Carcasa: TO247MAX
Tensión drenaje-fuente: 1kV
Corriente del drenaje: 21A
Resistencia en estado de transferencia: 0,5Ω
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 520W
Polarización: unipolar
Carga de puerta: 500nC
Tecnología: POWER MOS 5®
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±30V
Corriente del drenaje en impulso: 84A
Otros conceptos de búsqueda: Transistor, transistor mosfet
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* Los precios con asterisco son precios netos. Actualmente, no se realizan envíos a Canarias. * En caso de entrega en islas, pueden surgir costes adicionales, los cuales correrán a cargo del comprador.
Nuestra oferta se orienta exclusivamente a empresas, profesionales y autónomos.