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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 68A; Idm: 318A; 833W; TO247MAX


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Información de productos
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 68A; Idm: 318A; 833W; TO247MAX
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 68A; Idm: 318A; 833W; TO247MAX
N.º art.:
     6Q9VB-APT106N60B2C6
Fabricante:
     MICROCHIP (MICROSEMI)
N.º fabricante:
     APT106N60B2C6
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
transistor mosfet
Fabricante: MICROCHIP (MICROSEMI)
Montaje: THT
Carcasa: TO247MAX
Tensión drenaje-fuente: 600V
Corriente del drenaje: 68A
Resistencia en estado de transferencia: 35mΩ
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 833W
Polarización: unipolar
Carga de puerta: 308nC
Tecnología: CoolMOS™
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±20V
Corriente del drenaje en impulso: 318A
Resumen de condiciones1
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* Los precios con asterisco son precios netos. Actualmente, no se realizan envíos a Canarias. * En caso de entrega en islas, pueden surgir costes adicionales, los cuales correrán a cargo del comprador.
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