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Transistor: IGBT; Field Stop; 1,2kV; 33A; 272W; T-Max


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Información de productos
Transistor: IGBT; Field Stop; 1,2kV; 33A; 272W; T-Max
Transistor: IGBT; Field Stop; 1,2kV; 33A; 272W; T-Max
N.º art.:
     6Q9VB-APT25GN120B2DQ2G
Fabricante:
     MICROCHIP (MICROSEMI)
N.º fabricante:
     APT25GN120B2DQ2G
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor IGBT
Transistores
Transistor
transistor igbt
Fabricante: MICROCHIP (MICROSEMI)
Montaje: THT
Carcasa: T-Max
Tensión colector-emisor: 1,2kV
Tensión entrada - emisor: ±30V
Corriente de colector: 33A
Corriente de colector en impulso: 75A
Tiempo de conexión: 39ns
Tiempo de desconexión: 560ns
Tipo de transistor: IGBT
Poder disipado: 272W
Clase de empaquetado: tubo
Propiedades de elementos semiconductores: integrated anti-parallel diode
Carga de puerta: 155nC
Tecnología: Field Stop
Resumen de condiciones1
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* Los precios con asterisco son precios netos. Actualmente, no se realizan envíos a Canarias. * En caso de entrega en islas, pueden surgir costes adicionales, los cuales correrán a cargo del comprador.
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