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Transistor: IGBT; PT; 1,2kV; 33A; 417W; TO247-3


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Información de productos
Transistor: IGBT; PT; 1,2kV; 33A; 417W; TO247-3
Transistor: IGBT; PT; 1,2kV; 33A; 417W; TO247-3
N.º art.:
     6Q9VB-APT25GP120BDQ1G
Fabricante:
     MICROCHIP (MICROSEMI)
N.º fabricante:
     APT25GP120BDQ1G
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor IGBT
Transistores
Transistor
transistor igbt
Fabricante: MICROCHIP (MICROSEMI)
Montaje: THT
Carcasa: TO247-3
Tensión colector-emisor: 1,2kV
Tensión entrada - emisor: ±30V
Corriente de colector: 33A
Corriente de colector en impulso: 90A
Tiempo de conexión: 26ns
Tiempo de desconexión: 200ns
Tipo de transistor: IGBT
Poder disipado: 417W
Clase de empaquetado: tubo
Precio unitario: No
Propiedades de elementos semiconductores: integrated anti-parallel diode
Carga de puerta: 110nC
#Acciones #promocionales: aac_202202
Tecnología: POWER MOS 7®;PT
Resumen de condiciones1
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* Los precios con asterisco son precios netos. Actualmente, no se realizan envíos a Canarias. * En caso de entrega en islas, pueden surgir costes adicionales, los cuales correrán a cargo del comprador.
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