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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 44A; Idm: 176A; 329W; TO247-3


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Información de productos
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 44A; Idm: 176A; 329W; TO247-3
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 44A; Idm: 176A; 329W; TO247-3
N.º art.:
     6Q9VB-APT30M75BLLG
Fabricante:
     MICROCHIP (MICROSEMI)
N.º fabricante:
     APT30M75BLLG
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
transistor mosfet
Fabricante: MICROCHIP (MICROSEMI)
Montaje: THT
Carcasa: TO247-3
Tensión drenaje-fuente: 300V
Corriente del drenaje: 44A
Resistencia en estado de transferencia: 75mΩ
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 329W
Polarización: unipolar
Carga de puerta: 57nC
Tecnología: POWER MOS 7®
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±30V
Corriente del drenaje en impulso: 176A
Resumen de condiciones1
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