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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 34A; Idm: 102A; 417W; TO264


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Información de productos
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 34A; Idm: 102A; 417W; TO264
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 34A; Idm: 102A; 417W; TO264
N.º art.:
     6Q9VB-APT34N80LC3G
Fabricante:
     MICROCHIP (MICROSEMI)
N.º fabricante:
     APT34N80LC3G
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
Transistores
Fabricante: MICROCHIP (MICROSEMI)
Montaje: THT
Carcasa: TO264
Tensión drenaje-fuente: 800V
Corriente del drenaje: 34A
Resistencia en estado de transferencia: 0,145Ω
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 417W
Polarización: unipolar
Carga de puerta: 355nC
Tecnología: CoolMOS™
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±20V
Corriente del drenaje en impulso: 102A
Otros conceptos de búsqueda: Transistor, transistor mosfet
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