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Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 500V; 30A; Idm: 120A


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Información de productos
Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 500V; 30A; Idm: 120A
Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 500V; 30A; Idm: 120A
N.º art.:
     6Q9VB-APT5017BVFRG
Fabricante:
     MICROCHIP (MICROSEMI)
N.º fabricante:
     APT5017BVFRG
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
Transistores
Fabricante: MICROCHIP (MICROSEMI)
Montaje: THT
Carcasa: TO247-3
Tensión drenaje-fuente: 500V
Corriente del drenaje: 30A
Resistencia en estado de transferencia: 0,17Ω
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 370W
Polarización: unipolar
Precio unitario: No
Carga de puerta: 300nC
#Acciones #promocionales: aac_202202
Tecnología: POWER MOS 5®
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±30V
Corriente del drenaje en impulso: 120A
Otros conceptos de búsqueda: Transistor
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