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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 35A; Idm: 175A; 780W; TO247MAX


Cantidad:  unidad  
Información de productos

N.º art.:
     6Q9VB-APT56F50B2
Fabricante:
     MICROCHIP (MICROSEMI)
N.º fabricante:
     APT56F50B2
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
Transistores
Fabricante: MICROCHIP (MICROSEMI)
Montaje: THT
Carcasa: TO247MAX
Tensión drenaje-fuente: 500V
Corriente del drenaje: 35A
Resistencia en estado de transferencia: 0,1Ω
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 780W
Polarización: unipolar
Carga de puerta: 0,22µC
Tecnología: POWER MOS 8®
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±30V
Corriente del drenaje en impulso: 175A
Otros conceptos de búsqueda: Transistor, transistor mosfet
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