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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38A; Idm: 210A; 1,04kW; TO264


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Información de productos
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38A; Idm: 210A; 1,04kW; TO264
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38A; Idm: 210A; 1,04kW; TO264
N.º art.:
     6Q9VB-APT56F60L
Fabricante:
     MICROCHIP (MICROSEMI)
N.º fabricante:
     APT56F60L
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
Transistores
Fabricante: MICROCHIP (MICROSEMI)
Montaje: THT
Carcasa: TO264
Tensión drenaje-fuente: 600V
Corriente del drenaje: 38A
Resistencia en estado de transferencia: 0,11Ω
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 1,04kW
Polarización: unipolar
Carga de puerta: 280nC
Tecnología: POWER MOS 8®
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±30V
Corriente del drenaje en impulso: 210A
Otros conceptos de búsqueda: Transistor, transistor mosfet
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