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Módulo: IGBT; transistor individual; Urmax: 1,2kV; Ic: 57A; SOT227B


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Información de productos
Módulo: IGBT; transistor individual; Urmax: 1,2kV; Ic: 57A; SOT227B
Módulo: IGBT; transistor individual; Urmax: 1,2kV; Ic: 57A; SOT227B
N.º art.:
     6Q9VB-APT75GP120JDQ3
Fabricante:
     Microchip Technology
N.º fabricante:
     APT75GP120JDQ3
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Módulo IGBT
Módulos IGBT
Transistores
Transistor
Fabricante: MICROCHIP TECHNOLOGY
Carcasa: SOT227B
Tensión de retorno máx.: 1,2kV
Estructura del semiconductor: transistor individual
Tensión entrada - emisor: ±20V
Corriente de colector: 57A
Corriente de colector en impulso: 300A
Poder disipado: 543W
Precio unitario: No
Montaje eléctrico: atornillado
Montaje mecánico: atornillado
Tipo de módulo: IGBT
#Acciones #promocionales: aac_202202
Tecnología: POWER MOS 7®
Resumen de condiciones1
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* Los precios con asterisco son precios netos. Actualmente, no se realizan envíos a Canarias. * En caso de entrega en islas, pueden surgir costes adicionales, los cuales correrán a cargo del comprador.
Nuestra oferta se orienta exclusivamente a empresas, profesionales y autónomos.