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Módulo; diodo SiC/transistor; 600V; 38A; SP3F; Press-in PCB; 250W


Cantidad:  unidad  
Información de productos

N.º art.:
     6Q9VB-APTCV60HM45RCT3G
Fabricante:
     MICROCHIP (MICROSEMI)
N.º fabricante:
     APTCV60HM45RCT3G
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Módulo IGBT
Módulos IGBT
Fabricante: MICROCHIP (MICROSEMI)
Carcasa: SP3F
Estructura del semiconductor: diodo SiC/transistor
Tensión drenaje-fuente: 600V
Corriente del drenaje: 38A
Corriente de colector: 50A
Resistencia en estado de transferencia: 45mΩ
Poder disipado: 250W
Precio unitario: No
Montaje eléctrico: Press-in PCB
Montaje mecánico: atornillado
Tipo de módulo: transistor MOSFET/IGBT
#Acciones #promocionales: aac_202202
Tecnología: SiC;CoolMOS™;Trench;Field Stop
Tensión puerta-fuente: ±20V
Topología: termistor NTC;puente H;puente unifase de diodo
Corriente del drenaje en impulso: 130A
Resumen de condiciones1
Plazo de entrega
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Precio
a partir de € 104,20*
  
Precio válido a partir de 500 unidades
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€ 155,44*
€ 188,08
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a partir de 3 unidades
€ 139,17*
€ 168,40
por unidad
a partir de 5 unidades
€ 133,73*
€ 161,81
por unidad
a partir de 10 unidades
€ 115,12*
€ 139,30
por unidad
a partir de 500 unidades
€ 104,20*
€ 126,08
por unidad
* Los precios con asterisco son precios netos. Actualmente, no se realizan envíos a Canarias. * En caso de entrega en islas, pueden surgir costes adicionales, los cuales correrán a cargo del comprador.
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