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Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 60A; Idm: 190A; 375W


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Información de productos

N.º art.:
     6Q9VB-B2M032120Y
Fabricante:
     BASiC SEMICONDUCTOR
N.º fabricante:
     B2M032120Y
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
Transistores
Fabricante: BASiC SEMICONDUCTOR
Montaje: THT
Carcasa: TO247PLUS-4
Tensión drenaje-fuente: 1,2kV
Corriente del drenaje: 60A
Resistencia en estado de transferencia: 50mΩ
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 375W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: tubo
Propiedades de elementos semiconductores: derivación Kelvin
Carga de puerta: 40nC
Tecnología: SiC
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: -4...18V
Corriente del drenaje en impulso: 190A
Otros conceptos de búsqueda: Transistor, transistor mosfet
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