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Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3


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Información de productos
Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
N.º art.:
     6Q9VB-BGH50N65HS1
Fabricante:
     BASiC SEMICONDUCTOR
N.º fabricante:
     BGH50N65HS1
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor IGBT
Transistores
Transistor
transistor igbt
Fabricante: BASiC SEMICONDUCTOR
Montaje: THT
Carcasa: TO247-3
Tensión colector-emisor: 650V
Tensión entrada - emisor: ±20V
Corriente de colector: 50A
Corriente de colector en impulso: 200A
Tiempo de conexión: 54ns
Tiempo de desconexión: 256ns
Tipo de transistor: IGBT
Poder disipado: 357W
Clase de empaquetado: tubo
Precio unitario: No
Propiedades de elementos semiconductores: integrated anti-parallel diode
Carga de puerta: 308nC
Tecnología: Trench;Field Stop;SiC SBD
Resumen de condiciones1
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* Los precios con asterisco son precios netos. Actualmente, no se realizan envíos a Canarias. * En caso de entrega en islas, pueden surgir costes adicionales, los cuales correrán a cargo del comprador.
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