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Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -60V; -230mA; Idm: -0,92A


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Información de productos
Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -60V; -230mA; Idm: -0,92A
Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -60V; -230mA; Idm: -0,92A
N.º art.:
     6Q9VB-BSS84T116
Fabricante:
     ROHM Semiconductor
N.º fabricante:
     BSS84T116
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
transistor mosfet
Fabricante: ROHM SEMICONDUCTOR
Montaje: SMD
Carcasa: SOT23
Tensión drenaje-fuente: -60V
Corriente del drenaje: -230mA
Resistencia en estado de transferencia: 6,4Ω
Tipo de transistor: P-MOSFET
Poder disipado: 0,35W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: cinta;bobina
Tecnología: Trench
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±20V
Corriente del drenaje en impulso: -0,92A
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