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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 85A; Idm: 482A; 195W


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Información de productos
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N.º art.:
     6Q9VB-BUK7Y6R0-60EX
Fabricante:
     Nexperia
N.º fabricante:
     BUK7Y6R0-60EX
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
Fabricante: NEXPERIA
Montaje: SMD
Carcasa: SOT669;PowerSO8;LFPAK56
Tensión drenaje-fuente: 60V
Corriente del drenaje: 85A
Resistencia en estado de transferencia: 13,5mΩ
Tipo de transistor: N-MOSFET
Uso: rama automotriz
Poder disipado: 195W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: cinta;bobina
Precio unitario: No
Carga de puerta: 45,4nC
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±20V
Corriente del drenaje en impulso: 482A
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