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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 56A; Idm: 322A; 157W


Cantidad:  unidad  
Información de productos

N.º art.:
     6Q9VB-BUK9612-55B.118
Fabricante:
     Nexperia
N.º fabricante:
     BUK9612-55B,118
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
Transistor SMD
Fabricante: NEXPERIA
Montaje: SMD
Carcasa: D2PAK;SOT404
Tensión drenaje-fuente: 55V
Corriente del drenaje: 56A
Resistencia en estado de transferencia: 24mΩ
Tipo de transistor: N-MOSFET
Uso: rama automotriz
Poder disipado: 157W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: cinta;bobina
Carga de puerta: 31nC
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±15V
Corriente del drenaje en impulso: 322A
Otros conceptos de búsqueda: Transistores SMD, Transistores, Transistor, transistor smd
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