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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 59A; Idm: 333A; 137W


Cantidad:  unidad  
Información de productos

N.º art.:
     6Q9VB-BUK969R0-60E.118
Fabricante:
     Nexperia
N.º fabricante:
     BUK969R0-60E,118
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
Transistor SMD
Fabricante: NEXPERIA
Montaje: SMD
Carcasa: D2PAK;SOT404
Tensión drenaje-fuente: 60V
Corriente del drenaje: 59A
Resistencia en estado de transferencia: 19,8mΩ
Tipo de transistor: N-MOSFET
Uso: rama automotriz
Poder disipado: 137W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: cinta;bobina
Carga de puerta: 29,8nC
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±10V
Corriente del drenaje en impulso: 333A
Otros conceptos de búsqueda: Transistores SMD, Transistores, Transistor, transistor smd
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