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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; Idm: 282A; 65W


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Información de productos
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N.º art.:
     6Q9VB-BUK9M6R7-40HX
Fabricante:
     Nexperia
N.º fabricante:
     BUK9M6R7-40HX
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
Fabricante: NEXPERIA
Montaje: SMD
Carcasa: LFPAK33;SOT1210
Tensión drenaje-fuente: 40V
Corriente del drenaje: 50A
Resistencia en estado de transferencia: 16,7mΩ
Tipo de transistor: N-MOSFET
Uso: rama automotriz
Poder disipado: 65W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: cinta;bobina
Carga de puerta: 31nC
Clase de canal: enriquecido
Corriente del drenaje en impulso: 282A
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