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Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 10A; Idm: 40A; 80,6W


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Información de productos
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 10A; Idm: 40A; 80,6W
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 10A; Idm: 40A; 80,6W
N.º art.:
     6Q9VB-BXW10M1K2H
Fabricante:
     Bridgelux
N.º fabricante:
     BXW10M1K2H
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
Transistores
Fabricante: BRIDGELUX
Montaje: THT
Carcasa: TO247-3
Tensión drenaje-fuente: 1,2kV
Corriente del drenaje: 10A
Resistencia en estado de transferencia: 610mΩ
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 80,6W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: tubo
Carga de puerta: 29nC
Tecnología: SiC
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: -3...20V
Corriente del drenaje en impulso: 40A
Otros conceptos de búsqueda: Transistor, transistor mosfet
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