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Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,7kV; 3A; Idm: 12A; 69W


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Información de productos
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,7kV; 3A; Idm: 12A; 69W
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,7kV; 3A; Idm: 12A; 69W
N.º art.:
     6Q9VB-BXW3M1K7H
Fabricante:
     Bridgelux
N.º fabricante:
     BXW3M1K7H
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
Transistores
Fabricante: BRIDGELUX
Montaje: THT
Carcasa: TO247-3
Tensión drenaje-fuente: 1,7kV
Corriente del drenaje: 3A
Resistencia en estado de transferencia: 1,69Ω
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 69W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: tubo
Carga de puerta: 15nC
Tecnología: SiC
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: -3...20V
Corriente del drenaje en impulso: 12A
Otros conceptos de búsqueda: Transistor, transistor mosfet
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