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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; Idm: 400A; 300W; D2PAK


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Información de productos
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; Idm: 400A; 300W; D2PAK
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; Idm: 400A; 300W; D2PAK
N.º art.:
     6Q9VB-CSD19535KTTT
Fabricante:
     Texas Instruments
N.º fabricante:
     CSD19535KTTT
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
Transistor SMD
Fabricante: TEXAS INSTRUMENTS
Montaje: SMD
Carcasa: D2PAK
Tensión drenaje-fuente: 100V
Corriente del drenaje: 200A
Resistencia en estado de transferencia: 4,1mΩ
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 300W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: cinta;bobina
Carga de puerta: 75nC
Tecnología: NexFET™
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±20V
Corriente del drenaje en impulso: 400A
Otros conceptos de búsqueda: Transistores SMD, Transistores, Transistor, transistor smd
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