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Transistor: P-MOSFET; unipolar; -8V; -3A; Idm: -54A; 0,75W; DSBGA6


Cantidad:  unidad  
Información de productos

N.º art.:
     6Q9VB-CSD23203WT
Fabricante:
     Texas Instruments
N.º fabricante:
     CSD23203WT
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
transistor mosfet
Fabricante: TEXAS INSTRUMENTS
Montaje: SMD
Carcasa: DSBGA6
Tensión drenaje-fuente: -8V
Corriente del drenaje: -3A
Resistencia en estado de transferencia: 53mΩ
Tipo de transistor: P-MOSFET
Poder disipado: 0,75W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: cinta;bobina
Tecnología: NexFET™
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±6V
Corriente del drenaje en impulso: -54A
Resumen de condiciones1
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