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Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 100A; Idm: 260A; 600W


Cantidad:  unidad  
Información de productos

N.º art.:
     6Q9VB-DIW120SIC023-AQ
Fabricante:
     DIOTEC SEMICONDUCTOR
N.º fabricante:
     DIW120SIC023-AQ
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
Transistores
Fabricante: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Montaje: THT
Carcasa: TO247-3
Tensión drenaje-fuente: 1,2kV
Corriente del drenaje: 100A
Resistencia en estado de transferencia: 29mΩ
Tipo de transistor: N-MOSFET
Uso: rama automotriz
Poder disipado: 600W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: tubo
Precio unitario: No
Carga de puerta: 45nC
Tecnología: SiC
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: -4...18V
Corriente del drenaje en impulso: 260A
Otros conceptos de búsqueda: Transistor
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