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Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1,7A; Idm: -27A; 800mW; SOT23


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Información de productos
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1,7A; Idm: -27A; 800mW; SOT23
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1,7A; Idm: -27A; 800mW; SOT23
N.º art.:
     6Q9VB-DMG2301U-7
Fabricante:
     Diodes
N.º fabricante:
     DMG2301U-7
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
Fabricante: DIODES INCORPORATED
Montaje: SMD
Carcasa: SOT23
Tensión drenaje-fuente: -20V
Corriente del drenaje: -1,7A
Resistencia en estado de transferencia: 0,11Ω
Tipo de transistor: P-MOSFET
Poder disipado: 0,8W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: cinta;bobina
Precio unitario: No
Carga de puerta: 6,5nC
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±8V
Corriente del drenaje en impulso: -27A
Resumen de condiciones1
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