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Transistor: P-MOSFET; unipolar; -16V; -2,2A; Idm: -12A; 1,35W


Cantidad:  unidades  
Información de productos

N.º art.:
     6Q9VB-DMG3415UFY4Q-7
Fabricante:
     Diodes
N.º fabricante:
     DMG3415UFY4Q-7
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
transistor mosfet
Fabricante: DIODES INCORPORATED
Montaje: SMD
Carcasa: X2-DFN2015-3
Tensión drenaje-fuente: -16V
Corriente del drenaje: -2,2A
Resistencia en estado de transferencia: 65mΩ
Tipo de transistor: P-MOSFET
Uso: rama automotriz
Poder disipado: 1,35W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: cinta;bobina
Carga de puerta: 10nC
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±8V
Corriente del drenaje en impulso: -12A
Resumen de condiciones1
Plazo de entrega
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Precio
a partir de € 0,138*
  
Precio válido a partir de 7.500.000 unidades
Cantidad de pedido mínima: 3 unidades
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a partir de 7500000 unidades
€ 0,138*
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* Los precios con asterisco son precios netos. Actualmente, no se realizan envíos a Canarias. * En caso de entrega en islas, pueden surgir costes adicionales, los cuales correrán a cargo del comprador.
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