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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3,9A; Idm: 31A; 870mW; TSSOP8


Cantidad:  unidades  
Información de productos

N.º art.:
     6Q9VB-DMG8822UTS-13
Fabricante:
     Diodes
N.º fabricante:
     DMG8822UTS-13
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
Transistor SMD
Fabricante: DIODES INCORPORATED
Montaje: SMD
Carcasa: TSSOP8
Tensión drenaje-fuente: 20V
Corriente del drenaje: 3,9A
Resistencia en estado de transferencia: 37mΩ
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 0,87W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: cinta;bobina
Precio unitario: No
Carga de puerta: 9,6nC
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±8V
Corriente del drenaje en impulso: 31A
Otros conceptos de búsqueda: Transistores SMD, Transistores, Transistor, transistor smd
Resumen de condiciones1
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€ 0,167*
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* Los precios con asterisco son precios netos. Actualmente, no se realizan envíos a Canarias. * En caso de entrega en islas, pueden surgir costes adicionales, los cuales correrán a cargo del comprador.
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