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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3,2A; Idm: 8A; 1,25W


Cantidad:  unidades  
Información de productos

N.º art.:
     6Q9VB-DMN2080UCB4-7
Fabricante:
     Diodes
N.º fabricante:
     DMN2080UCB4-7
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
Transistor SMD
Fabricante: DIODES INCORPORATED
Montaje: SMD
Carcasa: X2-WLB0808-4
Tensión drenaje-fuente: 20V
Corriente del drenaje: 3,2A
Resistencia en estado de transferencia: 0,115Ω
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 1,25W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: cinta;bobina
Carga de puerta: 7,4nC
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±8V
Corriente del drenaje en impulso: 8A
Otros conceptos de búsqueda: Transistores SMD, Transistores, Transistor, transistor smd
Resumen de condiciones1
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* Los precios con asterisco son precios netos. Actualmente, no se realizan envíos a Canarias. * En caso de entrega en islas, pueden surgir costes adicionales, los cuales correrán a cargo del comprador.
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