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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 700mA; Idm: 5,6A; 520mW; SOT523


Cantidad:  envase  
Información de productos

N.º art.:
     6Q9VB-DMN2710UT-7
Fabricante:
     Diodes
N.º fabricante:
     DMN2710UT-7
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
Transistor SMD
Fabricante: DIODES INCORPORATED
Montaje: SMD
Carcasa: SOT523
Tensión drenaje-fuente: 20V
Corriente del drenaje: 0,7A
Resistencia en estado de transferencia: 0,75Ω
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 0,52W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: cinta;bobina
Carga de puerta: 0,6nC
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±6V
Corriente del drenaje en impulso: 5,6A
Otros conceptos de búsqueda: Transistores SMD, Transistores, Transistor, transistor smd
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