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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 18,4A; Idm: 150A; 1,3W


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Información de productos
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N.º art.:
     6Q9VB-DMN3008SFG-7
Fabricante:
     Diodes
N.º fabricante:
     DMN3008SFG-7
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
Fabricante: DIODES INCORPORATED
Montaje: SMD
Carcasa: PowerDI3333-8
Tensión drenaje-fuente: 30V
Corriente del drenaje: 18,4A
Resistencia en estado de transferencia: 5,5mΩ
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 1,3W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: cinta;bobina
Precio unitario: No
Carga de puerta: 86nC
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±20V
Corriente del drenaje en impulso: 150A
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