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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 6A; 1,69W; SOT223


Cantidad:  envase  
Información de productos

N.º art.:
     6Q9VB-DMN30H4D1S-7
Fabricante:
     Diodes
N.º fabricante:
     DMN30H4D1S-7
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
Transistor SMD
Fabricante: DIODES INCORPORATED
Montaje: SMD
Carcasa: SOT223
Tensión drenaje-fuente: 60V
Corriente del drenaje: 2A
Resistencia en estado de transferencia: 0,25Ω
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 1,69W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: cinta;bobina
Precio unitario: No
Clase de canal: enriquecido
Corriente del drenaje en impulso: 6A
Otros conceptos de búsqueda: Transistores SMD, Transistores, Transistor, transistor smd
Resumen de condiciones1
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