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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 350mA; Idm: 0,8A; 320mW; SOT523


Cantidad:  envase  
Información de productos

N.º art.:
     6Q9VB-DMN31D6UT-7
Fabricante:
     Diodes
N.º fabricante:
     DMN31D6UT-7
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
Transistor SMD
Fabricante: DIODES INCORPORATED
Montaje: SMD
Carcasa: SOT523
Tensión drenaje-fuente: 30V
Corriente del drenaje: 0,35A
Resistencia en estado de transferencia: 2Ω
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 0,32W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: cinta;bobina
Carga de puerta: 0,35nC
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±12V
Corriente del drenaje en impulso: 0,8A
Otros conceptos de búsqueda: Transistores SMD, Transistores, Transistor, transistor smd
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