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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 160mA; Idm: 560A; 200mW; SOT523


Cantidad:  envase  
Información de productos

N.º art.:
     6Q9VB-DMN55D0UTQ-7
Fabricante:
     Diodes
N.º fabricante:
     DMN55D0UTQ-7
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
Transistor SMD
Fabricante: DIODES INCORPORATED
Montaje: SMD
Carcasa: SOT523
Tensión drenaje-fuente: 50V
Corriente del drenaje: 0,16A
Resistencia en estado de transferencia: 5Ω
Tipo de transistor: N-MOSFET
Uso: rama automotriz
Poder disipado: 0,2W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: cinta;bobina
Carga de puerta: 295nC
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±12V
Corriente del drenaje en impulso: 560A
Otros conceptos de búsqueda: Transistores SMD, Transistores, Transistor, transistor smd
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