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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 310mA; 840mW; X1-DFN1006-3


Cantidad:  envase  
Información de productos

N.º art.:
     6Q9VB-DMN65D8LFB-7
Fabricante:
     Diodes
N.º fabricante:
     DMN65D8LFB-7
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
Transistor SMD
Fabricante: DIODES INCORPORATED
Montaje: SMD
Carcasa: X1-DFN1006-3
Tensión drenaje-fuente: 60V
Corriente del drenaje: 0,31A
Resistencia en estado de transferencia: 4Ω
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 0,84W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: cinta;bobina
Precio unitario: No
Carga de puerta: 870pC
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±20V
Otros conceptos de búsqueda: Transistores SMD, Transistores, Transistor, transistor smd
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