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Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 180mA; Idm: 0,8A; 410mW


Cantidad:  envase  
Información de productos

N.º art.:
     6Q9VB-DMN67D8LDW-7
Fabricante:
     Diodes
N.º fabricante:
     DMN67D8LDW-7
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
Transistor SMD
Fabricante: DIODES INCORPORATED
Montaje: SMD
Carcasa: SOT363
Tensión drenaje-fuente: 60V
Corriente del drenaje: 0,18A
Resistencia en estado de transferencia: 7,5Ω
Tipo de transistor: N-MOSFET x2
Poder disipado: 0,41W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: cinta;bobina
Carga de puerta: 821pC
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±30V
Corriente del drenaje en impulso: 0,8A
Otros conceptos de búsqueda: Transistores SMD, Transistores, Transistor, transistor smd
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