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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 67A; Idm: 336A; 61W; TO251


Cantidad:  unidad  
Información de productos

N.º art.:
     6Q9VB-DMT10H009LH3
Fabricante:
     Diodes
N.º fabricante:
     DMT10H009LH3
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
Transistores
Fabricante: DIODES INCORPORATED
Montaje: THT
Carcasa: TO251
Tensión drenaje-fuente: 100V
Corriente del drenaje: 67A
Resistencia en estado de transferencia: 13mΩ
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 61W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: tubo
Precio unitario: No
Carga de puerta: 20,2nC
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±20V
Corriente del drenaje en impulso: 336A
Otros conceptos de búsqueda: Transistor
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