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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 10,5A; Idm: 120A; 3,1W


Cantidad:  unidad  
Información de productos

N.º art.:
     6Q9VB-DMT6012LPSW-13
Fabricante:
     Diodes
N.º fabricante:
     DMT6012LPSW-13
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
Transistor SMD
Fabricante: DIODES INCORPORATED
Montaje: SMD
Carcasa: PowerDI5060-8
Tensión drenaje-fuente: 60V
Corriente del drenaje: 10,5A
Resistencia en estado de transferencia: 17mΩ
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 3,1W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: cinta;bobina
Precio unitario: No
Carga de puerta: 22,2nC
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±20V
Corriente del drenaje en impulso: 120A
Otros conceptos de búsqueda: Transistores SMD, Transistores, Transistor, transistor smd
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