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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22,2A; Idm: 105A; 312,5W


Cantidad:  unidad  
Información de productos

N.º art.:
     6Q9VB-FCH35N60
Fabricante:
     onsemi
N.º fabricante:
     FCH35N60
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
Transistores
Fabricante: ONSEMI
Montaje: THT
Carcasa: TO247
Tensión drenaje-fuente: 600V
Corriente del drenaje: 22,2A
Resistencia en estado de transferencia: 79mΩ
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 312,5W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: tubo
Carga de puerta: 139nC
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±30V
Corriente del drenaje en impulso: 105A
Otros conceptos de búsqueda: Transistor, transistor mosfet
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