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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 28A; Idm: 110A; 312W; TO220AB


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Información de productos
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 28A; Idm: 110A; 312W; TO220AB
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 28A; Idm: 110A; 312W; TO220AB
N.º art.:
     6Q9VB-FCP067N65S3
Fabricante:
     onsemi
N.º fabricante:
     FCP067N65S3
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
Fabricante: ONSEMI
Montaje: THT
Carcasa: TO220AB
Tensión drenaje-fuente: 650V
Corriente del drenaje: 28A
Resistencia en estado de transferencia: 67mΩ
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 312W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: tubo
Precio unitario: No
Carga de puerta: 78nC
#Acciones #promocionales: aac_202202
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±30V
Corriente del drenaje en impulso: 110A
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Accesorios
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Tipo
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Accesorios
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WAKEFIELD THERMAL
647-10-ABEP
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