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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 190A; Idm: 1060A; 395W; D2PAK


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Información de productos
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 190A; Idm: 1060A; 395W; D2PAK
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 190A; Idm: 1060A; 395W; D2PAK
N.º art.:
     6Q9VB-FDB024N06
Fabricante:
     onsemi
N.º fabricante:
     FDB024N06
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
Transistor SMD
Fabricante: ONSEMI
Montaje: SMD
Carcasa: D2PAK
Tensión drenaje-fuente: 60V
Corriente del drenaje: 190A
Resistencia en estado de transferencia: 2,4mΩ
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 395W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: cinta;bobina
Carga de puerta: 226nC
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±20V
Corriente del drenaje en impulso: 1060A
Otros conceptos de búsqueda: Transistores SMD, Transistores, Transistor, transistor smd
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